MOSFET/场效应管 AO3416
产品型号:AO3416
产品封装:SOT-23
产品品牌:HC/浩畅
是否环保:无铅环保
小包装:3000PCS
AO3416 N沟道增强型功率MOSFET
该AO3416采用**的沟槽技术,提供优良的RDS(ON),低闸极电压为1.8V的低栅极电荷和操作。本装置适用于负荷开关或在PWM应用。它是ESD抗议。
总体特征
●VDS = 20V,ID= 6.**
RDS(ON)<
33mΩ** VGS = 2.5V
RDS(ON)<
27mΩ** VGS = 4.5V
评级:2000V HBM ESD
●高功率和电流处理能力
●无铅产品
●表面贴装封装
应用
●PWM应用
●负荷开关
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安**工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管属于电压控制元件,这一特点类似于电子管,但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的,与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。
特点
(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);
(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;
(5)场效应管的抗辐射能力强;
(6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。