MOSFET/场效应管 AO3415
产品型号：3415
产品封装：SOT-23
产品品牌：HC/浩畅
是否环保：无铅环保
小包装：3000PCS
AO3415 P沟道增强型功率MOSFET
该AO3415采用**的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），栅电压低as1.8v低栅极电荷和操作。本装置适用于负荷开关或在PWM应用。它是ESD抗议。
总体特征
●VDS = 20V，ID = 4A
RDS（ON）＜60mΩ**
VGS = 2.5V
RDS（ON）<
45mΩ** VGS = 4.5V
评级：2500V HBM ESD
●高功率和电流处理能力
●无铅产品
●表面贴装封装
应用
●PWM应用
●负荷开关
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很 大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有**缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖**区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
