MOSFET/场效应管 AO3406
产品型号：AO3406
产品封装：SOT-23
产品品牌：HC/浩畅
是否环保：无铅环保
小包装：3000PCS
N沟道增强型功率MOSFET
漏极-源极电压（VDS）:30V
漏极电流（ID）:3.6A
漏源电流脉冲IDM:1**
栅源电压（VGS）: ±20V
结温（TJ）:150℃
储存温度（TSTG）:-55~150℃
耗散功率（PD）:1.4W
栅源极开启电压VGS(th):1.5 ~ 2.5V
栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很 大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有**缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖**区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
